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2N5302

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01

2N5302

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 30A 60V 200W NPN

2N5302 供应商

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2N5302 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
  • 最大直流电集电极电流：30 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：40
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：2 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-204-2 (TO-3)
  • 封装：Tray
  • 集电极连续电流：30 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：200 W
  • 工厂包装数量：100

2N5302 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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