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更新日期:2024-04-01

产品简介:Transistors Bipolar (BJT) 4A 60V 40W PNP

2N5194 供应商

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2N5194 中文资料属性参数

  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:4 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:25
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:2 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-225-3
  • 封装:Bulk
  • 集电极连续电流:4 A
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:40 W
  • 工厂包装数量:500

2N5194 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N5194

Silicon PNP Power Transistors(4 AMPERE)

8 Pages页,100K 查看
2N5194

PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER

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