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- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.3321-$0.98
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANSISTOR NPN 80V 4A SOT-32
- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.3321-$0.98
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2N5192 中文资料属性参数
- 其它有关文件：2N5192 View All Specifications
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.4V @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 1.5A，2V
- 功率 - 最大：40W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：SOT-32-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-2591-5
2N5192 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N5192
|
POWER TRANSISTORS SILICON NPN |
8 Pages页,62K | 查看 |
|
2N5192
|
NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
1 Pages页,62K | 查看 |
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2N5192
|
MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
4 Pages页,62K | 查看 |
|
2N5192
|
TRANS NPN 80V 4A SOT-32 |
4页,46K | 查看 |
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2N5192G
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Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):20V; Power Dissipation, Pd:40W; DC Current Gain Min (hfe):20; Package/Case:TO-225 ;RoHS Compliant: Yes |
6页,85K | 查看 |