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- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.3267-$0.97
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANSISTOR NPN 60V 4A SOT-32
- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.3267-$0.97
2N5191 供应商
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ST/ELNAF
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TO-126
1835+ -
5000
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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ONS
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
2N5191 中文资料属性参数
- 其它有关文件：2N5191 View All Specifications
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.4V @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：25 @ 1.5A，2V
- 功率 - 最大：40W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：SOT-32-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-2601-5
2N5191 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N5191
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POWER TRANSISTORS SILICON NPN |
8 Pages页,103K | 查看 |
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2N5191
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NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
1 Pages页,103K | 查看 |
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2N5191
|
MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
4 Pages页,103K | 查看 |
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2N5191G
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TRANSISTOR, NPN, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:2; Transistor Case Style:TO-225AA; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Complementary Device:2N5194 / 2N5195; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:4A; Current Ic hFE:4A; Gain Bandwidth ft Min:2MHz; Gain Bandwidth ft Typ:2MHz; Hfe Min:10; Package / Case:TO-225AA; Power Dissipation Pd:40W; Power Dissipation Ptot Max:40W; Termination Type:Through Hole; Transistor T... |
6页,85K | 查看 |