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2N5115

JFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET 30V 10pA

更新日期：2024-04-01

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2N5115

JFET

产品简介：JFET 30V 10pA

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET 30V 10pA

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2N5115 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：JFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）：- 15 mA to - 60 mA
  • 闸/源击穿电压：30 V
  • 配置：Single
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-18
  • 封装：Bulk
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.0045 S
  • 闸/源截止电压：6 V
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：100 Ohms
  • 工厂包装数量：200

2N5115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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