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更新日期:2024-04-01

产品简介:Transistors Bipolar (BJT) NPN Wide Bd AM

  • 参考价格:¥12.63-¥16.84

2N5109 供应商

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2N5109 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
  • 最大直流电集电极电流:0.4 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:70 at 50 mA at 15 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:1200 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-39
  • 封装:Box
  • 集电极连续电流:400 mA
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:1 W
  • 工厂包装数量:500

2N5109 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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