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- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS NPN SS GP 50MA 25V TO92
- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
2N5089 供应商
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TI
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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2N5089 中文资料属性参数
- 标准包装：5,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：25V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 1mA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：400 @ 100µA，5V
- 功率 - 最大：625mW
- 频率 - 转换：50MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
- 其它名称：2N5089OS
2N5089 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N5089
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Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
1 Pages页,192K | 查看 |
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2N5089
|
PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
2 Pages页,192K | 查看 |
|
2N5089
|
Mini size of Discrete semiconductor elements |
15 Pages页,192K | 查看 |
|
2N5089
|
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
1 Pages页,192K | 查看 |
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2N5089
|
NPN General Purpose Amplifier |
6 Pages页,192K | 查看 |
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2N5089
|
Amplifier Transistor(NPN Silicon) |
6 Pages页,192K | 查看 |
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2N5089
|
Amplifier Transistors |
8 Pages页,192K | 查看 |