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- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01
产品简介：TRANS PNP 60V BIPOLAR TO-225AA
- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
2N4919 供应商
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ON
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连接器
新批号 -
8887770
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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onsemi
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TO-225
21+ -
34188
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上海市
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一级代理原装
2N4919 中文资料属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：500µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 500mA，1V
- 功率 - 最大：30W
- 频率 - 转换：3MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：TO225AA
- 包装：散装
2N4919 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N4919
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GENERAL.PURPOSE POWER TRANSISTORS |
8 Pages页,124K | 查看 |
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2N4919G
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TRANSISTOR,PNP,60V,1A,TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:3; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:30V; Current Ic Continuous a Max:1A; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:150; Package / Case:TO-225; Power Dissipation Pd:30W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type: |
6页,118K | 查看 |