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  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:JFET Leaded JFET
  • 参考价格:¥13.18-¥15.11

更新日期:2024-04-01

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产品简介:JFET Leaded JFET

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:JFET Leaded JFET
  • 参考价格:¥13.18-¥15.11

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2N4856A 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:JFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 漏源电压 VDS:40 V
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA
  • 闸/源击穿电压:40 V
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-18
  • 闸/源截止电压:4 V
  • 最大漏极/栅极电压:40 V
  • 功率耗散:360 mW
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):25 Ohms

2N4856A 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N4856A

N-Channel JFETs

1 Pages页,283K 查看
2N4856A

JFET SWITCHING N-CHANNEL-DEPLETION

2 Pages页,283K 查看

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