- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:JFET N-Chan JFET - 参考价格:¥18.15-¥24.98
更新日期:2024-04-01
产品简介:JFET N-Chan JFET
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:JFET N-Chan JFET - 参考价格:¥18.15-¥24.98
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2N4416A 中文资料属性参数
- 制造商:Central Semiconductor
- 产品种类:JFET
- 晶体管极性:N-Channel
- 漏源电压 VDS:35 V
- 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):5 mA to 15 mA
- 闸/源击穿电压:35 V
- 漏极连续电流:15 mA
- 配置:Single
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-72
- 正向跨导 gFS(最大值/最小值):0.0045 S to 0.0075 S
- 功率耗散:300 mW
- 工厂包装数量:500
2N4416A 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
N-CHANNEL JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER |
2 Pages页,150K | 查看 |
![]() |
N-Channel JFET High Frequency Amplifier |
2 Pages页,150K | 查看 |
![]() |
N-Channel JFETs |
1 Pages页,150K | 查看 |
![]() |
TRANSISTOR,JFET,N CH,5A,TO-72; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-36V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:5mA to 15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-206AF; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) |
7页,100K | 查看 |
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