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  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:JFET N-Chan JFET
  • 参考价格:¥18.15-¥24.98

更新日期:2024-04-01

产品简介:JFET N-Chan JFET

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:JFET N-Chan JFET
  • 参考价格:¥18.15-¥24.98

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2N4416A 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:JFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 漏源电压 VDS:35 V
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):5 mA to 15 mA
  • 闸/源击穿电压:35 V
  • 漏极连续电流:15 mA
  • 配置:Single
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-72
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):0.0045 S to 0.0075 S
  • 功率耗散:300 mW
  • 工厂包装数量:500

2N4416A 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N4416A

N-CHANNEL JFET HIGH FREQUENCY AMPLIFIER

2 Pages页,150K 查看
2N4416A

N-Channel JFET High Frequency Amplifier

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2N4416A

N-Channel JFETs

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2N4416A-E3

TRANSISTOR,JFET,N CH,5A,TO-72; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-36V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:5mA to 15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-206AF; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010)

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