2N4416A-E3
JFET- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:JFET 35V 5mA - 参考价格:¥20.01-¥27.53
更新日期:2024-04-01 00:04:00
2N4416A-E3
JFET产品简介:JFET 35V 5mA
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:JFET 35V 5mA - 参考价格:¥20.01-¥27.53
2N4416A-E3 中文资料属性参数
- 制造商:Vishay
- 产品种类:JFET
- 晶体管极性:N-Channel
- 闸/源击穿电压:- 35 V
- 配置:Single
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:TO-206AF
- 封装:Bulk
- 工厂包装数量:200
2N4416A-E3 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
TRANSISTOR,JFET,N CH,5A,TO-72; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-36V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:5mA to 15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-206AF; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) |
7页,100K | 查看 |
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