- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:JFET N-Chan JFET - 参考价格:¥10.21-¥9.80
更新日期:2024-04-01

产品简介:JFET N-Chan JFET
- RoHS:
镉(Cd)/镉化合物 0.01%
六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
铅(Pb)/铅化合物 0.10%
汞(Hg)/汞化合物 0.10%
多溴联苯(PBB)0.10%
多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明:JFET N-Chan JFET - 参考价格:¥10.21-¥9.80
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2N4393 中文资料属性参数
- 制造商:Central Semiconductor
- 产品种类:JFET
- 晶体管极性:N-Channel
- 漏源电压 VDS:40 V
- 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):5 mA to 30 mA
- 闸/源击穿电压:40 V
- 漏极连续电流:0.1 nA
- 配置:Single
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-18
- 功率耗散:1.8 W
- 电阻汲极/源极 RDS(导通):100 Ohms
- 工厂包装数量:2000
2N4393 数据手册
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