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  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:JFET N-Chan JFET
  • 参考价格:¥10.21-¥9.80

更新日期:2024-04-01

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产品简介:JFET N-Chan JFET

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:JFET N-Chan JFET
  • 参考价格:¥10.21-¥9.80

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2N4393 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:JFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 漏源电压 VDS:40 V
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):5 mA to 30 mA
  • 闸/源击穿电压:40 V
  • 漏极连续电流:0.1 nA
  • 配置:Single
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-18
  • 功率耗散:1.8 W
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):100 Ohms
  • 工厂包装数量:2000

2N4393 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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