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2N4392

Central Semiconductor JFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET N-Chan JFET
  • 参考价格：￥10.21-￥9.87

更新日期：2024-04-01

2N4392

Central Semiconductor JFET

产品简介：JFET N-Chan JFET

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET N-Chan JFET
  • 参考价格：￥10.21-￥9.87

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2N4392 中文资料属性参数

  • 制造商：Central Semiconductor
  • 产品种类：JFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 漏源电压 VDS：40 V
  • 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）：25 mA to 75 mA
  • 闸/源击穿电压：40 V
  • 漏极连续电流：0.1 nA
  • 配置：Single
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-18
  • 功率耗散：1.8 W
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 Ohms
  • 工厂包装数量：2000

2N4392 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N4392

SINGLE N-CHANNEL JFET SWITCH

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2N4392

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SMALL SIGNAL N.CHANNEL J.FET IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

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2N4392-E3

TRANSISTOR, JFET, N, 40V, 25MA; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-55V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:25mA to 75mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-5V; Power Dissipation Pd:1.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:TO-218X; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Package / Case:TO-218X; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel

7页,60K 查看

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