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2N4392-E3

JFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET 55V 5pA
  • 参考价格：￥20.01-￥27.53

更新日期：2024-04-01 00:04:00

2N4392-E3

JFET

产品简介：JFET 55V 5pA

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：JFET 55V 5pA
  • 参考价格：￥20.01-￥27.53

2N4392-E3 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：JFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 漏源电压 VDS：0.4 V
  • 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）：25 mA to 75 mA
  • 闸/源击穿电压：- 40 V
  • 配置：Single
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-18
  • 封装：Bulk
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6 mS
  • 闸/源截止电压：- 2 V to - 5 V
  • 最大漏极/栅极电压：- 40 V
  • 最大工作温度：+ 200 C
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1800 mW
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 Ohms
  • 工厂包装数量：200

2N4392-E3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N4392-E3

TRANSISTOR, JFET, N, 40V, 25MA; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-55V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss:25mA to 75mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-5V; Power Dissipation Pd:1.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:TO-218X; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Package / Case:TO-218X; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel

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