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- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-12-26 17:12:15
产品简介：IC TRANS NPN SS GP 200MA TO-92
- 封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
2N3903 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Fairchild
-
TO-92
21+ -
23060
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
ON
-
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23+ -
58000
-
上海市
-
-
-
进口原装现货，杜绝假货。
2N3903 中文资料属性参数
- 标准包装：2,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：50 @ 10mA，1V
- 功率 - 最大：625mW
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
2N3903 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N3903
|
Si-Epitaxial PlanarTransistors |
2 Pages页,44K | 查看 |
|
2N3903
|
npn epitaxial silicon transistor |
1 Pages页,44K | 查看 |
|
2N3903
|
NPN General Purpose Amplifier |
2 Pages页,44K | 查看 |
|
2N3903
|
NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications |
3 Pages页,44K | 查看 |
|
2N3903
|
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
2 Pages页,44K | 查看 |
|
2N3903
|
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
8 Pages页,44K | 查看 |
|
2N3903RLRM
|
General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
8 Pages页,109K | 查看 |