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- 参考价格：CNY 10.20-CNY 9.20
更新日期：2024-04-01
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2N3637 供应商
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CAN
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27
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台州
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绝对自己现货，深圳交易
2N3637 中文资料属性参数
- 晶体管极性:：进步党
- 电压, Vceo:：175V
- 过渡频率, ft:：200MHz
- 功耗, Pd:：5W
- 集电极直流电流:：1A
- 直流电流增益 hFE:：50
- 封装类型:：TO-39
- 针脚数:：3
- 功耗:：5W
- 封装类型:：TO-39
- 截止频率 ft, 典型值:：200MHz
- 最大连续电流, Ic:：1A
- 直流电流增益 hfe, 最小值:：50
- 表面安装器件:：通孔安装
- 饱和电压, Vce sat 最大:：500mV
2N3637 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N3637
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PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
2 Pages页,225K | 查看 |
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2N3637
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PNP SILICON TRANSISTOR |
2 Pages页,225K | 查看 |
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2N3637
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GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (PNP SILICON) |
6 Pages页,225K | 查看 |
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2N3637CSM
|
PNP SILICON TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
2 Pages页,24K | 查看 |
|
2N3637L
|
PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR |
2 Pages页,60K | 查看 |