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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:Transistors Bipolar (BJT) NPN High Power

  • 参考价格:¥49.13-¥54.03

2N3585 供应商

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2N3585 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
  • 最大直流电集电极电流:2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:40
  • 最大工作频率:10 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Stud
  • 封装 / 箱体:TO-66
  • 封装:Sleeve
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:35 W
  • 工厂包装数量:30

2N3585 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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