- 参考价格:¥50.16-¥55.06
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:Transistors Bipolar (BJT) NPN High Power
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2N3583 供应商
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isc/固电半导体
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TO-66
2024+ -
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无锡
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国产品牌isc,33年国产工厂
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SSI/ELNAF
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TO-3
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上海市
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2N3583 中文资料属性参数
- 制造商:Central Semiconductor
- 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性:NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:175 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
- 最大直流电集电极电流:1 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min:40
- 最大工作频率:10 MHz
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:Stud
- 封装 / 箱体:TO-66
- 封装:Sleeve
- 集电极连续电流:1 A
- 增益带宽产品fT:10 MHz
- 最小工作温度:- 65 C
- 功率耗散:35 W
- 工厂包装数量:30
2N3583 数据手册
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