- 参考价格:¥28.36-¥35.88
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:Transistors Bipolar (BJT) NPN Gen Pur SS
- 参考价格:¥28.36-¥35.88
2N3501 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
SSI
-
TO-39
新批号 -
7899
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
-
CAN
- -
34
-
台州
-
-
2N3501 中文资料属性参数
- 制造商:Central Semiconductor
- 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性:NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:150 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
- 最大直流电集电极电流:0.3 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min:100
- 配置:Single
- 最大工作频率:150 MHz
- 最大工作温度:+ 150 C
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-39
- 封装:Box
- 最小工作温度:- 65 C
- 功率耗散:1000 mW
- 工厂包装数量:500
2N3501 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
2N3501
|
NPN BIPOLAR TRANSISTOR |
2 Pages页,508K | 查看 |
2N3501
|
NPN SILICON TRANSISTOR |
2 Pages页,508K | 查看 |
2N3501
|
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON) |
5 Pages页,508K | 查看 |
2N3501
|
Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN |
1 Pages页,508K | 查看 |
2N3501
|
Small Signal Transistors |
1 Pages页,508K | 查看 |
2N3501CSM4
|
HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
3 Pages页,28K | 查看 |
2N3501L
|
NPN SILICON TRANSISTOR |
2 Pages页,36K | 查看 |
2N3501L
|
Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN |
1 Pages页,36K | 查看 |
2N3501L
|
Type 2N3501L Geometry 5620 Polarity NPN |
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2N3501