您好,欢迎来到知芯网
  • 封装:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:托盘
  • 参考价格:$0.46151-$1.21

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:TRANS NPN 350V 1A TO-39

  • 封装:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:托盘
  • 参考价格:$0.46151-$1.21

2N3439 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

2N3439 中文资料属性参数

  • 其它有关文件:2N3439 View All Specifications
  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):350V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 4mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):20µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 20mA,10V
  • 功率 - 最大:1W
  • 频率 - 转换:15MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐
  • 供应商设备封装:TO-39
  • 包装:托盘
  • 其它名称:497-2576-5

2N3439 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N3439

HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTORS

2 Pages页,56K 查看
2N3439

NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS

3 Pages页,56K 查看
2N3439

Small Signal Transistors

1 Pages页,56K 查看
2N3439

HIGH VOLTAGE AMPLIFIERS

6 Pages页,56K 查看
2N3439

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

3 Pages页,56K 查看
2N3439

SILICON NPN TRANSISTORS

4 Pages页,56K 查看
2N3439CSM4

HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

2 Pages页,21K 查看
2N3439CSM4R

HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

2 Pages页,17K 查看
2N3439L

NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

3 Pages页,56K 查看

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9