您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

2N3055A

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

2N3055A

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 15A 60V 115W NPN

2N3055A 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

2N3055A 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
  • 最大直流电集电极电流：15 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：10
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：6 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-204-2 (TO-3)
  • 封装：Tray
  • 集电极连续电流：15 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：115 W
  • 工厂包装数量：100

2N3055A 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N3055A

POWER TRANSISTORS(15A)

 4 Pages页,201K 查看
2N3055A

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

 6 Pages页,201K 查看
2N3055A

15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60, 120 VOLTS 115, 180 WATTS

 6 Pages页,201K 查看
2N3055A

COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS

 4 Pages页,201K 查看

2N3055A 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9