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更新日期:2024-04-01 00:04:00

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产品简介:Transistors Bipolar (BJT) PNP Gen Pur SS

  • 参考价格:¥5.34-¥9.80

2N2906A 供应商

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2N2906A 中文资料属性参数

  • 制造商:Central Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:0.6 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:75
  • 最大工作频率:200 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-18
  • 封装:Box
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 功率耗散:4000 mW
  • 工厂包装数量:2000

2N2906A 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2N2906AUA

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

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2N2906AUB

PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

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