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STMicroelectronics Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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STMicroelectronics Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) TO-18 NPN FAST SW SS

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2N2369 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：4.5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.5 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：40 at 10 mA at 1 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：650 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-18
  • 封装：Bulk
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：360 mW
  • 工厂包装数量：1000

2N2369 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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