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2DB1713-13
晶体管(BJT) - 单路- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0984-$0.132
更新日期：2024-04-01
2DB1713-13
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS BIPO PNP 12V 3A SOT89-3
- 封装：TO-243AA
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0984-$0.132
2DB1713-13 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 30mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：270 @ 500mA，2V
- 功率 - 最大：900mW
- 频率 - 转换：180MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-243AA
- 供应商设备封装：SOT-89-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2DB1713DITR
2DB1713-13 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2DB1713-13
|
TRANSISTOR, PNP, SOT89, 0.9W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Power Dissipation Pd:900mW; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:270; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Current Ic Continuous a Max:1.5A; Gain Bandwidth ft Typ:180MHz; Hfe Min:270; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:900mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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