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2DB1689-7
晶体管(BJT) - 单路- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0375-$0.06
更新日期：2024-04-01
2DB1689-7
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS BIPO PNP 12V 1.5A SOT-323
- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0375-$0.06
2DB1689-7 供应商
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DIODES
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2021+ -
28000
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苏州
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DIODES
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SOT-323
23+ -
46000
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合肥
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2DB1689-7 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1.5A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 25mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：270 @ 200mA，2V
- 功率 - 最大：300mW
- 频率 - 转换：300MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SOT-323
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2DB1689DITR
2DB1689-7 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2DB1689-7
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TRANSISTOR, PNP, SOT323, 0.3W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:270; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:200mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:270; Package / Case:SOT-323; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS) |
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2DB1689-7
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TRANS PNP 12V 1.5A SOT-323 |
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