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1N8033-GA
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
1N8033-GA
单二极管产品简介：DIODE SIL CARB 650V 4.3A TO276
1N8033-GA 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- 技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：4.3A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.65 V @ 5 A
- 速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 650 V
- 不同?Vr、F 时电容：274pF @ 1V，1MHz
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：TO-276AA
- 供应商器件封装：TO-276
- 工作温度 - 结：-55°C ~ 250°C