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1N5618C.TR
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
1N5618C.TR
单二极管产品简介：DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL TR
1N5618C.TR 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：1A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.2 V @ 1 A
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：3 μs
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 600 V
- 不同?Vr、F 时电容：45pF @ 12V，1MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：SOD-57，轴向
- 供应商器件封装：轴向
- 工作温度 - 结：-65°C ~ 175°C