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1N4449
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
1N4449
单二极管产品简介：DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
1N4449 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- 技术：标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：75 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：200mA
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1 V @ 30 mA
- 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
- 反向恢复时间 (trr)：4 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：25 nA @ 20 V
- 不同?Vr、F 时电容：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装：DO-35
- 工作温度 - 结：-65°C ~ 150°C
1N4449 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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COMPUTER DIODE Switching |
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1N4449
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COMPUTER DIODE Switching |
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1N4449
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SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE |
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1N4449
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silicon diode |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE |
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SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES |
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