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1N4448WS

Fairchild Semiconductor 单二极管/整流器
  • 封装：SC-90，SOD-323F
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.03306-$0.17

更新日期：2024-04-01

1N4448WS

Fairchild Semiconductor 单二极管/整流器

产品简介：DIODE 75V 150MA SOD323F

  • 封装：SC-90，SOD-323F
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.03306-$0.17

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1N4448WS 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：单二极管/整流器
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - (Vr)（最大）：75V
  • 电流 - 平均整流 (Io)：150mA
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1V @ 100mA
  • 速度：小信号 =
  • 反向恢复时间(trr)：4ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电：5µA @ 75V
  • 电容@ Vr, F：4pF @ 0V，1MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-90，SOD-323F
  • 供应商设备封装：SOD-323F
  • 包装：®
  • 其它名称：1N4448WSFSDKR

1N4448WS 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
1N4448WS

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

 3 Pages页,41K 查看
1N4448WS

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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1N4448WS

SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

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1N4448WS

Fast Switching Speed Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion For General Purpose Switching Applications z High Conductance

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1N4448WS

Dated : 15/06/2012 TOP DYNAMIC 1N4448WS Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Fast Switching Diode Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Peak Reverse Voltage V RM 100 V Reverse Voltage V R 80 V Average Rectified Forward Current I F(AV) 150 mA Forward Continuous Current I FM 300 mA Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (at t = 1 μs) I FSM 0.5 A Power Dissipation P d 200 mW Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 65 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Max. Unit Forward Voltage at I F = 5 mA at I F = 10 mA at I F = 100 mA at I F = 150 mA V F 0.62 - - - 0.72 0.855 1 1.25 V Reverse Leakage Current at V R = 80 V at V R = 20 V at V R = 75 V, T J = 150 O C at V R = 25 V, T J = 150 O C I R - - - - 100 25 50 30 nA nA μA μA Reverse Breakdown Voltage at I R

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1N4448WS-7

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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1N4448WS-T1

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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1N4448WS-T3

SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

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