- 封装:DO-204AH,DO-35,轴向
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:剪切带 (CT)
- 参考价格:$0.02678-$0.17
更新日期:2024-04-01
产品简介:DIODE SGL JUNCT 200V SW DO-35
- 封装:DO-204AH,DO-35,轴向
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:剪切带 (CT)
- 参考价格:$0.02678-$0.17
1N3070TR 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ON/安森美
-
SMD
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货,大量现货热卖
1N3070TR 中文资料属性参数
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:单二极管/整流器
- 系列:-
- 二极管类型:标准
- 电压 - (Vr)(最大):200V
- 电流 - 平均整流 (Io):500mA
- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1V @ 100mA
- 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
- 反向恢复时间(trr):50ns
- 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 175V
- 电容@ Vr, F:5pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商设备封装:DO-35
- 包装:剪切带 (CT)
- 其它名称:1N3070TRFSCT
1N3070TR 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
SMALL SIGNAL DIODE 200V 500mA DO-35; Dio; Diode Type:Small Signal; Forward Current If(AV):500mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:200V; Forward Voltage VF Max:1V; Reverse Recovery Time trr Max:50ns; Forward Surge Current Ifsm Max:4A; Diode Case Style:DO-35; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ifsm:4A; Junction Temperature Tj Max:175°C; Package / Case:DO-35; Reverse Recovery Time trr Typ:50ns; Termination Type:Axial Leaded |
2页,27K | 查看 |
1N3070TR 相关产品
- 10A04-T
- 10A06-T
- 10A07-T
- 10BQ015
- 10BQ015PBF
- 10BQ015TR
- 10BQ015TRPBF
- 10BQ030PBF
- 10BQ030TRPBF
- 10BQ040
- 10BQ040PBF
- 10BQ040TRPBF
- 10BQ060PBF
- 10BQ060TRPBF
- 10BQ100PBF
- 10BQ100TRPBF
- 10ETF02
- 10ETF02FP
- 10ETF02S
- 10ETF02STRL
- 10ETF04STRL
- 10ETF06
- 10ETF06FP
- 10ETF06FPPBF
- 10ETF06PBF
- 10ETF06S
- 10ETF06STRL
- 10ETF10
- 10ETF10FP
- 10ETF10FPPBF