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更新日期:2024-04-01

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+BTS555 中文资料属性参数

  • 驱动芯片类型::金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
  • 模块配置::高压侧
  • 输出电流 峰值::165A
  • 输入延迟::600μs
  • 输出延时::200μs
  • 电源电压范围::5V 到 34V
  • 封装类型::TO-218
  • 针脚数::5
  • 工作温度范围::-40°C 到 +150°C
  • SVHC(高度关注物质)::No SVHC (19-Dec-2011)

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