- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.03591-$0.06345
更新日期:2024-04-01
产品简介:TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SSD3
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.03591-$0.06345
SST2907AT116 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ROHM
-
NA
2023+ -
164390
-
苏州
-
-
-
FCG
-
ROHM
-
SMD
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
原装进口
-
ROHM
-
-
最新批号 -
8800
-
上海市
-
-
SST2907AT116 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大):100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA,10V
- 功率 - 最大:350mW
- 频率 - 转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SST3
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SST2907AT116TR
SST2907AT116 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
TRANSISTOR,PNP,60V,0.6A,SSD3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:100; Transistor Case Style:SST; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Gain Bandwidth ft Typ:200MHz |
5页,112K | 查看 |