- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.01397-$0.02678
更新日期:2025-03-11
产品简介:TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23
- 封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.01397-$0.02678
MMBT3904 供应商
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MMBT3904 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
- 功率 - 最大:350mW
- 频率 - 转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:MMBT3904FSTR
MMBT3904 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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Dated : 27/05/2012 Rev: 02 TOP DYNAMIC MMBT3904 NPN Silicon General Purpose Transistor for switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 60 V Collector Emitter Voltage V CEO 40 V Emitter Base Voltage V EBO 6 V Collector Current I C 200 mA Power Dissipation P tot 350 mW Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C SOT-23 Plastic Package |
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Dated : 18/02/2013 Rev: 01 TOP DYNAMIC MMBT3904DW NPN Silicon General Purpose Double Transistor for switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings (T a = 25℃) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 60 V Collector Emitter Voltage V CEO 40 V Emitter Base Voltage V EBO 6 V Collector Current I C 200 mA Power Dissipation P tot 200 mW Junction Temperature T j 150 ℃ Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 ℃ 1 2 3 65 4 TR2 TR1 1. Emitter 2. Base 3. Collector 4. Emitter 5. Base 6. Collector SOT-363 Plastic Package |
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