- 封装:TO-225AA,TO-126-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:散装
- 参考价格:$0.20706-$0.68
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:TRANS PWR PNP 4A 100V TO225AA
- 封装:TO-225AA,TO-126-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:散装
- 参考价格:$0.20706-$0.68
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MJE253G 中文资料属性参数
- 标准包装:500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):4A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大):-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):40 @ 200mA,1V
- 功率 - 最大:1.5W
- 频率 - 转换:40MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
- 供应商设备封装:TO225AA
- 包装:散装
- 其它名称:MJE253GOS
MJE253G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MJE253G
|
TRANS, PNP, 4A, 100V, TO225AA; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:40; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:180mA; Gain Bandwidth ft Typ:40MHz; Hfe Min:15; Package / Case:TO-225; Power Dissipation Pd:1.5W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type: |
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MJE253G