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MJE253

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MJE253

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 4A 100V 15W PNP

MJE253 供应商

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MJE253 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
  • 最大直流电集电极电流：4 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：40
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：40 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-225-3
  • 封装：Bulk
  • 集电极连续电流：4 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：15 W
  • 工厂包装数量：500

MJE253 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MJE253

COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJE253

POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON

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MJE253

4 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 100 VOLTS 15 WATTS

 6 Pages页,77K 查看
MJE253G

TRANS, PNP, 4A, 100V, TO225AA; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:40; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:180mA; Gain Bandwidth ft Typ:40MHz; Hfe Min:15; Package / Case:TO-225; Power Dissipation Pd:1.5W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:

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