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- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$0.20706-$0.68
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS PWR NPN 4A 100V TO225AA
- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$0.20706-$0.68
MJE243G 供应商
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ONSemi
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TO-225
新批号 -
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MJE243G 中文资料属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：40 @ 200mA，1V
- 功率 - 最大：1.5W
- 频率 - 转换：40MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：TO225AA
- 包装：散装
- 其它名称：MJE243GOS
MJE243G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 MJE243G
|
TRANSISTOR, NPN, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:15mW; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:40; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Complementary Device:MJE253; Continuous Collector Current Ic Max:4A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:1A; Gain Bandwidth ft Min:40MHz; Gain Bandwidth ft Typ:40MHz; Hfe Min:15; Package / Case:TO-225; Power Dissipation Pd:1.5W; Power Dissipation Ptot Max:15W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; V... |
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