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MJ15025

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

MJ15025

ON Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

产品简介：Transistors Bipolar (BJT) 16A 250V 250W PNP

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MJ15025 中文资料属性参数

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：250 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
  • 最大直流电集电极电流：16 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：15
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：4 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-204-2 (TO-3)
  • 封装：Tray
  • 集电极连续电流：16 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：250 W
  • 工厂包装数量：100

MJ15025 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
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SILICON POWER TRANSISTORS

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MJ15025G

TRANSISTOR, PNP, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:60; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:TO-204AA; Collector Emitter Voltage Vces:-1.4V; Continuous Collector Current Ic Max:16A; Current Ic Continuous a Max:16A; Current Ic hFE:8A; Device Marking:MJ15025G; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:4MHz; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:15; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Pd:250W; P...

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