- 封装:TO-204AE
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:托盘
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:TRANS DARL NPN 50A 120V TO3
- 封装:TO-204AE
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:托盘
MJ11032 供应商
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MJ11032 中文资料属性参数
- 标准包装:100
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3.5V @ 500mA,50A
- 电流 - 集电极截止(最大):2mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 25A,5V
- 功率 - 最大:300W
- 频率 - 转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-204AE
- 供应商设备封装:TO-3
- 包装:托盘
- 其它名称:MJ11032OS
MJ11032 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MJ11032
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POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W) |
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MJ11032
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NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(SWITCHING REGULATORS PWM INVERTERS SOLENOID AND RELAY DRIVERS) |
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MJ11032
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COMPLEMENTARY DARLINGTON POWER TRANSISTOR |
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MJ11032
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COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
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MJ11032
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50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS |
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MJ11032G
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TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:18; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:TO-204; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:3.5V; Current Ic Continuous a Max:50A; Hfe Min:400; Package / Case:TO-204; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type: |
4页,117K | 查看 |

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MJ11032