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  • 封装:TO-204AE
  • RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:托盘

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:TRANS DARL NPN 50A 120V TO3

  • 封装:TO-204AE
  • RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:托盘

MJ11032 供应商

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MJ11032 中文资料属性参数

  • 标准包装:100
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):120V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3.5V @ 500mA,50A
  • 电流 - 集电极截止(最大):2mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):1000 @ 25A,5V
  • 功率 - 最大:300W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-204AE
  • 供应商设备封装:TO-3
  • 包装:托盘
  • 其它名称:MJ11032OS

MJ11032 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
MJ11032

POWER TRANSISTOR(50A,60-120V,300W)

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50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 60.120 VOLTS 300 WATTS

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MJ11032G

TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:18; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C; Transistor Case Style:TO-204; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:3.5V; Current Ic Continuous a Max:50A; Hfe Min:400; Package / Case:TO-204; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:

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