- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:DIODE SCHOTTKY 8A 35V DPAK
- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
MBRD835L 供应商
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MBRD835LT4G
原装现货 -
Onsemi
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DPAK
2414 CN -
5000
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北京市
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02-12
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原厂授权渠道,现货
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ON
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NA
2023+ -
1300
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苏州
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FCG
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Onsemi
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DPAK-3
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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ON
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2019+ -
5800
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上海市
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全新原装现货
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ON
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标准封装
09+ -
13500
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苏州
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ONSEMICONDUCTOR
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21+ -
2000
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上海市
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ONS
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原厂原封装
新批号 -
887000
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上海市
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MOT/ON
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TO
22+授权代理 -
15800
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上海市
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ON
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8 -
617
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杭州
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原装正品现货
MBRD835L 中文资料属性参数
- 标准包装:75
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:单二极管/整流器
- 系列:SWITCHMODE™
- 二极管类型:肖特基
- 电压 - (Vr)(最大):35V
- 电流 - 平均整流 (Io):8A
- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):510mV @ 8A
- 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
- 反向恢复时间(trr):-
- 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1.4mA @ 35V
- 电容@ Vr, F:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:DPAK-3
- 包装:管件
- 其它名称:MBRD835LOS
MBRD835L 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
MBRD835L
|
SWITCHMODE Power Rectifier |
6页,58K | 查看 |
MBRD835LG
|
DIODE, SCHOTTKY, 8A, 35V; Diode Type:Schottky; Voltage, Vrrm:35V; Current, If AV:8A; Current, Ifsm:75A; Voltage, Vf Max:0.51V; Temperature, Tj Max:150°C; Termination Type:SMD; Case Style:D-PAK; No. of Pins:4; Alternate Case Style:TO-252; Current, If Vf:8A; Current, Ifs Max:75A; Device Marking:MBRD835L; Forward Voltage:0.41V; Temperature, Tj Min:-65°C |
6页,67K | 查看 |
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