FRS150BA50
单二极管更新日期:2024-04-01 00:04:00
FRS150BA50
单二极管产品简介:DIODE GEN PURP 500V 150A
FRS150BA50 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
日本三社
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
日本三社
-
全新原装
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
仓库现货
-
日本三社
-
全新原装
23+ -
5000
-
上海市
-
-
-
仓库现货
-
日本三社
-
全新原装
23+ -
5000
-
苏州
-
-
-
仓库现货
-
SANREX
-
标准封装
24+ -
8800
-
苏州
-
-
-
原厂授权代理商主营IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶
-
SANREX原装
-
标准封装
19+ -
200
-
苏州
-
-
-
只做原装日本三社模块 进口器件分销商
-
三社
-
标准封装
22+ -
5000
-
上海市
-
-
-
上海现货,实单可谈
-
sanrex
-
标准封装
21+ -
5000
-
上海市
-
-
-
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质
-
sanrex
-
EA
21+ -
1200
-
上海市
-
-
-
厂家授权代理商.IGBT模块.可控硅模块,二极管,整流
-
三社SanRex
-
Tray
21+ -
1698
-
上海市
-
-
-
只做全新原装,原厂渠道现货
FRS150BA50 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:1 : ¥357.03000托盘
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):500 V
- 电流 - 平均整流 (Io):150A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 150 A
- 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):200 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150 mA @ 500 V
- 不同?Vr、F 时电容:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:-
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 150°C

搜索
发布采购