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- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.37772-$0.99
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANSISTOR POWER NPN SOT-32
- 封装：TO-225AA，TO-126-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.37772-$0.99
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BD237
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isc/无锡固电半导体
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BD237 中文资料属性参数
- 其它有关文件：BD237 View All Specifications
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：25 @ 1A，2V
- 功率 - 最大：25W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
- 供应商设备封装：SOT-32-3
- 包装：管件
- 其它名称：497-7167-5BD237-ND
BD237 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BD237
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Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor |
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BD237
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POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
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BD237
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TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors |
2 Pages页,39K | 查看 |
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BD237
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COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
5 Pages页,39K | 查看 |
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BD237
|
Medium Power Linear and Switching Applications |
4 Pages页,39K | 查看 |
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BD237G
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TRANSISTOR, NPN, TO-126; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:25W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:3; Transistor Case Style:TO-126; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Continuous Collector Current Ic Max:2A; Current Ic Continuous a Max:2A; Current Ic hFE:1A; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:25; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-126; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Ptot Max:26W; Termination Type:Through Ho... |
4页,64K | 查看 |